RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM
   

RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM

PNY
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  • Technologie: DDR4
  • Spannung: 1,2 V
  • Art: Speicher (RAM)
  • Latenzzeit: CL19
  • RAM Speicher: 4 GB RAM
  • Kompatibel: Laptop
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz
  • Kapazität:
    • 40 g
    • 4 GB
  • Speicher Typ: DDR4
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